MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
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PDPI 2022-09-15 15:19:37培养“新工科”人才，安徽工程大学与天马微电子签订战略合作协议
奇偶派 2021-11-24 13:41:19小米财报
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。
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基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。
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通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适的驱动电路。
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用DPAK封装的100 V MOSFET，以及一个同样采用DPAK封装的100 V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100 V增加到120 V，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。
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MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。
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车载音频放大器通常使用升压转换器来生成 18 V～28 V（或更高）的电池输出电压。在这些 100W 及 100W 以上的高功耗应用中，需要大升压电感、多个级别的输出电容器、并行 MOSFET 及二极管。
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存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因此要添加一个由D1、R24和C6组成的钳压电路。该电路的钳位电压取决于漏电的能量大小以及电阻器的功率消耗。更小值的电阻虽然可以降低钳位电压，但会增加功率损耗。
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因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性有很大好处。
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LD7890主要为升压拓扑架构，可驱动4 Channel LED light bar， 10V MOSFETDRV输出电压，高转换效率，外置4 Channel电流平衡驱动，恒电流LED。
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反激式转换器使用了TinySwitch-III系列的一个器件（U2，TNY279PN）给6个高亮度流明LED（LXHL系列）提供高达1.8 A的负载电流。输出电压比LED串的正向电压降稍低。因此当LED灯串连接到电源时，电源工作在恒流（CC）模式。如果LED串没接到电源，稳压管VR1提供电压反馈，将输出电压调整在13.5 VDC左右。一个100
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IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
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LNK512是非隔离降压型恒流驱动集成电路,内部集成高压600V MOSFET,采用SOP-8封装,LED电流可以输出高达260mA，LK512采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒流驱动LED。
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MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
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